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| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | Huanuo |
| Certificazione: | CE/FCC/ROHS |
| Numero di modello: | HN-PA2W |
| Quantità di ordine minimo: | 1pcs |
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| Prezzo: | Negotiation |
| Imballaggi particolari: | Pacchetto professionale del contenitore di cartone |
| Tempi di consegna: | 2~3 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 500 pezzi al mese |
| Frequenza di lavoro: | possa su misura | Dimensione: | 84*48*19mm |
|---|---|---|---|
| temperatura di lavoro: | -20~+70℃ | Tipo di interfaccia: | SMA-50KFD |
| Peso: | 100g | Tensione di funzionamento: | 11V~+17V |
| Evidenziare: | amplificatore di alto potere rf,Modulo dell'amplificatore di potenza di rf |
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HN-PA2W_750MHZ
amplificatore di potenza lineare 800MHZ di 2W rf
| Nome di modulo: | amplificatore di potenza lineare di 2W 800MHz rf | Tipo di modello: | HN-PA2W_800 | |
| Caratteristiche principali: | NESSUN controllo numerico | |||
| Elemento della prova | Indicizzi | Nota | |
| Amplificatore di potenza | Frequenza di lavoro (megahertz) | 800megahertz +50MHz | |
| Potenza di uscita massimo (dBm) | 32dBm±1dBm | (Nessun controllo di ALC) | |
| Ritardo di gruppo del Passband (NS) | ≤50ns | ||
| Guadagno (dB) | 40dB±1dB | ||
| Fluttuazione del Passband | ≤1dB | (Valore da picco a picco) | |
| Livello di ingresso (dB) | -8dB | ||
| Rapporto della spalla (dBc) | ≤-30dBc | ||
| Tensione di funzionamento | +11V~+17V VCC | ||
| Attività in corso | ≤1.2A_12V | ||
| Temperatura di lavoro | -20~+70℃ | ||
| Tipo di interfaccia | SMA-50KFD | ||
| Peso | 100g | ||
| Dimensioni del modulo (millimetri) | 84*48*19mm | Senza giunto | |
Apperance ed istruzioni di installazione
dimensione 1.Outline: 84*48*19mm (senza incavo)
tipo 2.Interface:
①Alimentazione elettrica: capacità del centro di +12V
②Interfaccia di input di rf: SMA-50KFD
Interfaccia dell'uscita di rf: SMA-50KFD
diametro del foro 3.Mounting: 4 fori di montaggio hanno lasciato quattro Φ3.5 attraverso i fori per installazione.
Persona di contatto: Miss. Wendy
Fax: 86-755-8830-8460
Addresss: Unità J, pavimento 16, blocco C, costruzione NEO, area Futian, Shenzhen, Guangdong, Cina.
